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- 平成28年度特許出願技術動向調査-GaNパワーデバイスー 一式
入札情報
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平成28年度特許出願技術動向調査-GaNパワーデバイスー 一式 - 2016年07月25日登録(案件ID:8296389)
- 案件概要
特許情報から技術全体を俯瞰し、経済情報・産業情報を踏まえた技術開発の進展状況・方向性を把 握することは、特許庁における審査体制の構築や的確かつ効率的な審査等のための基礎資料の整備、 産業政策、科学技術政策の基礎資料の整備をする上で必要である。 また、今後、我が国の産業が持続的に発展していくためには、新規事業の創出が不可欠であり、そ のためには、企業や大学・公的研究機関等の技術開発、知財戦略策定を支援していく必要がある。特 許情報はこれら企業等の研究開発動向、知財戦略の表れであり、技術開発、知財戦略の方向性を決定 していく上でも重要なものである。 本調査では、近年、特に注目されている「GaN パワーデバイス」の分野について調査分析を行うも のとする。 これまでGaAs(ガリウム・ヒ素)や、Si(シリコン)を材料に用いるトランジスタなどが衛星通 信、移動体通信、レーダなどで使われてきたが、近年、GaN(窒化ガリウム)を材料とする HEMT(High Electron Mobility Transistor)やHBT(Heterojunction Bipolar Transistor)などの高周 波用パワートランジスタの開発が進んでおり、デバイスの高速化、高耐圧化、大容量化を目的とし て、デバイスの置きかえが進みつつある。 一方、米国、中国等の海外では、レーダなど、軍用のために開発が進められているとも言われ、世 界的な開発競争が繰り広げられている。 このような背景のもと、GaN を用いた高周波用パワー半導体デバイスに関する特許や論文、製品の 動向を調査し、技術革新の状況、技術競争力の状況と今後の展望について検討する必要がある。
- 履行場所
説明会日
2016.08.02資料交付日
---資料等提出日
2016.08.29入札日
2016.08.29受付終了